【摘 要】
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随着通信、 对抗和测试设备的工作带宽逐渐增加, 对相应功率放大器的带宽要求也越来越宽, 而基于第三代半导体材料的GaNHEMT具备宽工作频带的特性, 有满足新需求的潜力.运用
【机 构】
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成都四威功率电子科技有限公司,西南电子设备研究所
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随着通信、 对抗和测试设备的工作带宽逐渐增加, 对相应功率放大器的带宽要求也越来越宽, 而基于第三代半导体材料的GaNHEMT具备宽工作频带的特性, 有满足新需求的潜力.运用传输线变压器 （TransmissionLineTransformer, TLT） 加载铁氧体磁芯的技术对GaNHEMT进行宽带匹配, 研制了工作于20-1 000 MHz的功率放大器.通过建立和优化TLT模型, 拓展频率低端, 最终测试结果表明, 在整个带宽内, 输出功率≥107 W, 增益≥11.3 dB, 功率附加效率≥34.5
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