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应用正电子湮没技术,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了烧结温度对导电特性、局域电子密度、结构缺陷的影响特征.研究发现:提高烧结温度,Zn填隙离子迅速迁移,ZnO导电陶瓷电阻率明显下降,同时产生大量微空洞缺陷.
烧结温度对钇掺杂氧化锌导电陶瓷局域电子密度和结构缺陷的影响
【摘 要】
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应用正电子湮没技术,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了烧结温度对导电特性、局域电子密度、结构缺陷的影响特征.研究发现:提高烧结温度,Zn填隙离子迅速迁移
【机 构】
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中国矿业大学,上海大学
【出 处】
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稀土
【发表日期】
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2004年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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