论文部分内容阅读
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制.
单管卧式热壁型PECVD设备
【摘 要】
：
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制.
【机 构】
：
北京七星华创电子股份有限公司
【出 处】
：
电子工业专用设备
【发表日期】
：
2004年4期
其他文献
运用规范势分解理论研究了Jackiw-Pi模型中的自对偶方程,得到一个新的自对偶方程,发现了Chern-Simons多涡旋解与拓扑荷之间的联系。为了研究Jackiw-Pi模型多涡旋解的拓扑性质