【摘 要】
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针对钴互连化学机械抛光（CMP）高去除速率的要求，提出将不同粒径的 Si O2 组合作为磨料进行 CMP。对比了使用单一粒径与混合粒径 Si O2 磨料对钴去除速率的影响。结果表明，使用单一粒径磨料时，随着磨料粒径由 40 nm 增大到 130 nm，钴的去除速率先增大后减小，Si O2 粒径为 100 nm 时钴的去除速率最高，达到了 447 nm/min。将两种不同粒径的 Si O2 磨料混合
【基金项目】
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河北省自然科学基金（E2019202367）；
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针对钴互连化学机械抛光（CMP）高去除速率的要求，提出将不同粒径的 Si O2 组合作为磨料进行 CMP。对比了使用单一粒径与混合粒径 Si O2 磨料对钴去除速率的影响。结果表明，使用单一粒径磨料时，随着磨料粒径由 40 nm 增大到 130 nm，钴的去除速率先增大后减小，Si O2 粒径为 100 nm 时钴的去除速率最高，达到了 447 nm/min。将两种不同粒径的 Si O2 磨料混合使用能够显著提高钴的去除速率。将粒径为 40 nm 和 100 nm 的 Si O2 磨料按质量比 3∶1 混合使用时，钴的去除速率最高，达到了563 nm/min，抛光后钴的表面粗糙度（Sq）约为 1.05 nm。
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