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PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.
PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计
【摘 要】
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PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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电子质量
【发表日期】
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2004年10期
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