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针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求，采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅（4HSiC）宽禁带材料制成肖特基二极管，研究了该探测器对241Am源α粒子的电荷收集效率。从电容电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1．99×10^15／cm2。从正向电流一电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1．66eV，理想因子为1．07，表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700V时，该二极管未击穿，其漏电流仅为21nA，具有较高的击穿电压。在反向偏压为0～350V范围内研究了该探测器对3．5