基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关

来源 :南京信息工程大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wbs304
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷(SPDT)开关芯片,整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明,在23~30 GHz频率范围内,该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB,隔离度大于23 dB,输入输出回波损耗均大于10 dB.
其他文献
两个月的暑假过去了,新的学期到来了,十二星座会如何迎接他们的开学第一天呢?
针对无线通信中多通道收发机前端功分器模块设计中面临的端口隔离度不高、插入损耗偏大的问题,提出了一种改进的威尔金森功分器设计方法.该方法基于威尔金森功分器原理,利用1/4信号波长传输线本身的长度增大功率分配端口的间距来满足系统中对于端口间距的要求,从而减小附加传输线带来的插入损耗,并采用HFSS电磁场仿真工具获取信号在传输线中的波长,由此设计了一款1分2和1分4威尔金森功分器.仿真结果表明该方法能够有效地提高功分器端口隔离度,并降低插入损耗.