【摘 要】
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采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于全球导航卫星系统的低噪声放大器。该低噪声放大器采用小型化栅格阵列封装,内部集成了旁路控制单元,所有I/O端口均加入了ESD保
【机 构】
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重庆西南集成电路设计有限责任公司,中国电子科技集团公司第二十四研究所
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采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于全球导航卫星系统的低噪声放大器。该低噪声放大器采用小型化栅格阵列封装,内部集成了旁路控制单元,所有I/O端口均加入了ESD保护电路。对封装后的芯片进行了测试。结果表明,在GNSS频率范围内,该芯片的正向增益为20.1dB,噪声系数小于1.1dB,输入1-dB压缩点和输入3阶交调点分别为-12dBm和-5dBm,在2.7V电源电压下消耗电流3.7mA,芯片尺寸为0.63mm×0.64mm。
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