【摘 要】
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文章提出了高k+SiO2栅FD-SOI （fully depleted silicon-on-insulator） MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL （drain induced barrier lowing）效应计算模
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61376098,61076086)资助项目
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文章提出了高k+SiO2栅FD-SOI （fully depleted silicon-on-insulator） MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL （drain induced barrier lowing）效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化, DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型.
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