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设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形成、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为４ｍｍ＾２时，在光源测试条件为：２８５６Ｋ，１９０００１ｘ下，光电流达０．６ｍＡ，加１．５Ｖ反偏时达２４ｍＡ，灵敏度分别为２．９Ａ／Ｗ及１１９Ａ／Ｗ。
宽势阱半导体光电器件研究
【摘 要】
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设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形成、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为４ｍｍ＾２时，在光源测试条件为：２８５６Ｋ，１９０００１ｘ下，光电流达０．６ｍＡ，加
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 !(编号 :6 92 76 0 2 7)
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