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二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6e V的n型半导体材料。由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行了广泛的研究。本文以SnCl4·5H2O为锡源,通过水热法成功地合成了纳米花棒的SnO2纳米材料,并XRD、SEM对合成的样品进行了表征。
纳米花棒SnO2的合成
【摘 要】
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二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6e V的n型半导体材料。由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行了广泛的研究。本文以SnCl4·5H2O为锡
【机 构】
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浙江师范大学含氟新材料研究所
【出 处】
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广东化工
【发表日期】
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2020年9期
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