【摘 要】
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针对温度对磁记忆检测影响的研究较少的问题,建立典型试样的仿真模型,并对其施加不同的温度进行有限元仿真,以此研究温度的变化对磁记忆检测的影响。仿真结果表明,在达到试样
【机 构】
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南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFF0203000);国家自然科学基金资助项目(51261024,51675258);江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ150699)
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针对温度对磁记忆检测影响的研究较少的问题,建立典型试样的仿真模型,并对其施加不同的温度进行有限元仿真,以此研究温度的变化对磁记忆检测的影响。仿真结果表明,在达到试样材料的居里点之前,温度对磁记忆检测的影响不大,当温度接近居里点时,磁记忆信号的峰峰值会急剧增大,并且试样材料只是影响不同温度时的磁记忆检测信号的大小,对信号的变化规律影响不大。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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