【摘 要】
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三轴X射线衍射技术广泛应用于半导体材料参数的精确测试,然而应用于纤锌矿n-GaN位错密度的测试却可能隐藏极大的误差.本文采用三轴X射线衍射技术测试了两个氢化物气相外延方
【机 构】
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南昌大学科学技术学院,南昌大学材料科学与工程学院,核技术应用教育部工程研究中心（东华理工大学）,上饶职业技术学院机械工程系,南昌大学现代教育技术中心
【基金项目】
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江西省自然科学基金（批准号：20151BAB207066）, 南昌大学科学技术学院自然科学基金（批准号：2012-ZR-06）资助的课题~~
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三轴X射线衍射技术广泛应用于半导体材料参数的精确测试,然而应用于纤锌矿n-GaN位错密度的测试却可能隐藏极大的误差.本文采用三轴X射线衍射技术测试了两个氢化物气相外延方法生长的n-GaN样品,发现两样品对应衍射面的半高全宽都基本一致,按照镶嵌结构模型,采用Srikant方法或Williamson-Hall方法,两样品的位错密度也应基本一致.但van der Pauw变温霍尔效应测试表明,其中的非故意掺杂样品是莫特相变材料,而掺Si样品则是非莫特相变材料,位错密度有数量级的差别.实验表明,位错沿晶界生长导致
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