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优化了金属纳米晶的制备工艺参数，得到了分布均匀，形状为球形，平均尺寸8nm，密度2．5×10^11／cm^2的Ag纳米晶。在此基础上，制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压（C—V）和电导-电压（G—V）测试研究了其电学性能，证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间（C—t）测试曲线呈指数衰减趋势，保留时间290s，具有较好的保留性能。