【摘 要】
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大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合
【机 构】
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浙江师范大学固体光电器件省级重点实验室
【基金项目】
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浙江省自然科学基金(LY17F040001);复旦大学表面物理实验室(国家重点实验室)开放项目(KF2015_02);中国科学院红外物理国家实验室开放项目(M201503)~~
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大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合适的TCO,也很少有报道界面态密度对异质结太阳能电池的影响机理。本研究表明,对于n型单晶硅片为衬底的异质结电池,发射场的TCO功函数越大越好,最佳范围是5.4~6.3 eV。对于背场的TCO功函数越小越好,最佳范围是3.6~4.0 eV。另外研究表明,对于n型衬底的非晶硅/晶体硅异质结电池(HIT电池),与衬底背面与非晶硅的界面态(Dit2)
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