【摘 要】
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大功率电力电子器件的冷却散热问题,已成为集成化大电容发展的瓶颈,受到越来越广泛的关注。文中采用相变冷却技术,设计两种冷板:带有强化换热结构和非强化换热结构,用于绝缘
【基金项目】
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太阳能发电技术北京市重点实验室2015年度科技创新基地培育与发展专项项目(Z151100001615004)
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大功率电力电子器件的冷却散热问题,已成为集成化大电容发展的瓶颈,受到越来越广泛的关注。文中采用相变冷却技术,设计两种冷板:带有强化换热结构和非强化换热结构,用于绝缘栅双极型晶体管模块(Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT)散热,对两种冷板温度分布进行数值模拟,并利用自建的实验平台对两种冷板的性能进行模拟试验。结果表明:两种结构的冷板均能满足功率器件的结温要求,同功率条件下,带有强化换热结构的冷板温度更低,具有更好的均温性,在3000W和4000W功率下,冷板温度分别
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