【摘 要】
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为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗，在2 200 mm×2 500 mm大尺寸玻璃上，采用正交实验设计，验证了功率、气压、反应气体和比例
【机 构】
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北京林业大学,北京京东方显示技术有限公司
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为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗，在2 200 mm×2 500 mm大尺寸玻璃上，采用正交实验设计，验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系，从而得到各膜层的最佳工艺条件。在Enhance Cathode Couple Plasma Mode（ECCP）刻蚀模式下，采用新刻蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光刻胶、湿刻后源极和漏极剩余金属钼以及沟道非晶硅层干法刻蚀。利用扫描电子显微镜（SEM）对薄膜电学特性
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