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硅基键合III-V 材料激光器，作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件，近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制，提高界面反射率和工艺容差，从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合III-V/硅基混合集成激光器进行了研究，介绍了该激光器的基本原理和实验方案，并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析，该研究工作的开展将有助于实现III-V/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。