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GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件，从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺。介绍了GaAs混频二极管的主要性能：击穿电压VBR≥4V，零偏压结电容0．1～0．15pF，串联电阻Rs≤3Ω，整机噪声系数NF≤5．3dB。并给出了在8～18GHz混频器中的使用结果。
GaAs混频二极管的设计和制作
【摘 要】
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GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件，从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺。介绍了GaAs混频二极管的主要性能：击穿电压VBR≥4V，零偏压结电容0．1～0．15
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年10期
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