论文部分内容阅读
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率（FSRV）、光强（Pin）及光照基区横向宽度（SBL）的情况下，硅NPN红外光电晶体管输出光电流（IL）及输出光电流线性度的变化特点和规律。仿真结果表明：当SBL一定时，随着FSRV的增大，在不同Pin的情况下，光电晶体管的IL均减小。当FSRV较小（50—5000cm／s）时，不伺Pin情况下光电晶体管的IL差别较小。当FSRV较大（〉5000cm／s）时，随着FSRV的增大，不同Pin情况下光电晶体管的IL显著降低。当FSR