界面微分电容法单晶硅表面单分子膜质量的检测

来源 :应用化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuwenhuaji11987

【摘要】

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用界面电容分析法,研究了影响烯烃类分子在氢结尾的硅(111)表面上通过Si-C 键嫁接有机单分子膜的某些因素和有机单分子膜对硅表面氧化的钝化作用. 指出嫁接反应条件或嫁接分

【作者】

：

孙乔玉力虎林 Catherine Henry de Villeneuve Philippe Allongue

【机构】

：

兰州大学化学化工学院,兰州 730000bLaboratoire de Physiqu e des Liquides et Electrochimie, CNRS-UPR 15 conventio

【出处】

：

应用化学

【发表日期】

：

2002年6期

【关键词】

：

硅表面有机嫁接单分子膜界面微分电容分析

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用界面电容分析法,研究了影响烯烃类分子在氢结尾的硅(111)表面上通过Si-C 键嫁接有机单分子膜的某些因素和有机单分子膜对硅表面氧化的钝化作用. 指出嫁接反应条件或嫁接分子的反应活性的差异都会影响所形成的单分子膜的质量;在所选择的反应条件下,由于烯烃修饰的硅表面上嫁接分子所占的体积分数约为0.90,故只能对硅表面的氧化产生有限的钝化作用. 另外,系统测量了不同链长的烯烃分子形成的有机单分子膜的电容特性参数.

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