论文部分内容阅读
基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。