Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaodhsnd
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运。在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性。磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的:对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象。
其他文献
对转向架轴箱的加工方案进行分析,设计钻孔专用机床。为了实现转架轴箱体一次装夹完成4-12 mm孔的加工,设计一套液压专用自动夹具。实践证明:该夹具结构简单,操作方便,加工
当前国家和地方正推动新一轮职业教育改革,大力发展现代职业教育。作为现代职业教育的重要内容之一,职业价值观关系到大学生的成长成才、应用型高校教育模式的发展转型等重要