10月10日，无锡太湖畔，意法半导体公司(ST)和海力士半导体为总投资额为20亿美元的存储器芯片制造厂举行了正式的开业典礼。
　　新工厂负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片，在制造工艺和产品开发上实现优势互补。一方面将加快ST在NAND闪存市场的前进步伐，同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的具有成本竞争力的DRAM芯片。另一方面，新工厂将有助于扩大海力士的12英寸生产线的产能，加强其在全球增长速度最快的中国半导体市场上的占有率。海力士DRAM目前在中国的销售量居第一位，据最新的iSuppli资料显示，市场份额约为47％。无锡工厂竣工后，除了位于美国俄勒冈州的制造基地之外，海力士又增加了一个全球制造基地。
　　两家公司于2005年4月为新工厂举行了奠基仪式，工厂占地面积550，000平方米，无尘洁净室达到20，000平方米，8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺，90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产，80nm晶圆在12英寸生产线上生产。明年年中，两条生产线除生产现有的DRAM外，还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面，8英寸生产线预计月产晶圆50，000片，12英寸生产线的月产量将达到18，000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。
　　新的无锡工厂将是我国最大的晶圆生产厂，也是迄今为止江苏省引进的最大的外商独资项目，为此无锡市政府给予了不遗余力的支持，相信这个晶圆厂的建立，对帮助提高我国技术人员的半导体制造技能，提升我国微电子产业的整体进步会有积极的推动作用。
　　
　　飞思卡尔MCU王争霸—用微控制器技术引领全球智能化发展
　　
　　


　　飞思卡尔公司公布了一项培训奖励计划，在面向嵌入式产品开发商的“飞思卡尔MCU王争霸”活动中，将举办三个阶段的在线培训，完成全部三个阶段在线培训的学员将有机会参加最终的幸运大抽奖，赢取宝马轿车BMW320i一辆。
　　本次的活动分为三个阶段，分别介绍飞思卡尔8位、16位及32位的MCU产品：
　　第一阶段由06年10月18日开始，在线培训介绍飞思卡尔8位的R S 0 8内核和MC9RS08KA系列产品；
　　第二阶段由06年11月21日开始，介绍飞思卡尔16位数字处理器56F8037在开关电源和电机上的应用；
　　第三阶段由06年12月26日开始，介绍飞思卡尔32位微控制器ColdFire在以太网络上的应用。
　　飞思卡尔半导体汽车与标准产品部亚太区市场总监Allen Kwan先生表示，Controller Con－tinuum是业界第一个8／32位兼容MCU架构，兼具32位产品的性能和8位产品的易用性，从基于RS08的超低端8位MCU到高性能的ColdFire嵌入式控制器，管脚兼容并可共享外围设备和一套通用开发工具。
　　作为Controller Continuum的起点，MC9RS08KA2是第一款基于超小型RS08内核的8位MCU产品。RS08内核是飞思卡尔高性能、低功耗HCS08体系结构的简化版本。超低端MC9RS08KA2体积小巧，为小存储容量进行了优化，最大可寻址空间为16K，提供2K闪存，并且是业界唯一带有低压探测器的小型8位产品，可以取代传统的逻辑器件。
　　注：“本文中所涉及到的图表、注解、公式等内容请以PDF格式阅读原文。”