【摘 要】
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设计了一种基于1st Silicon 0.25 μm CMOS工艺的全集成SAR A/D转换器.详细介绍了SAR A/D转换器的基本原理、电路结构和仿真结果.该SAR A/D转换器采用全差分结构,系统时钟频
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设计了一种基于1st Silicon 0.25 μm CMOS工艺的全集成SAR A/D转换器.详细介绍了SAR A/D转换器的基本原理、电路结构和仿真结果.该SAR A/D转换器采用全差分结构,系统时钟频率为2 MHz,精度12位,采样速率125 kb/s,输入电压范围0～2.5 V.在3.3 V供电电压下,功耗为0.3 mW,芯片有效面积为745 μm×2000 μm.
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