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<正> 一、引言自1926年Goldschmiodt用人工方法制备了GaAs半导体晶体以来,不少人对GaAs晶体作了大量的研究工作。GaAs晶体具有许多优良的特性,在固体微波器件和激光器等方面得到广泛应用,而GaAs半导体器件的发展又是与其晶体生长技术的发展密切相关的。因此,在工业上如何能大量生产重现性良好,便宜而又质量优良的晶体,便成为材料研究者的首要任务。