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瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响，产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0．18μmSRAM电路，利用“强光一号”装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验，研究了SRAM电路的内核电压和10电压受扰动后的恢复时间，并对试验结果进行了分析。高电源电压扰动恢复时间优于低电源电压扰动恢复时间，该发现对多电压集成电路瞬时剂量率效应的评估和加固具有指导意义。