切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
一种新复用型模糊控制器VLSI设计
一种新复用型模糊控制器VLSI设计
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:robinlaikankan
【摘 要】
:
本文提出了一种模糊化器复用的模糊控制器的VLSI设计。这一ASIC电路利用模糊处理特点,采用模糊化器复用的结构,在系统的实现规模不变的情况下大大提高了系统性能。同时由于采用并行流水
【作 者】
:
张健
赖宗声
【机 构】
:
华东师范大学电子系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
复用型
模糊控制器
VLSI
设计
Application specific integrated circuits
Fuzzy control
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文提出了一种模糊化器复用的模糊控制器的VLSI设计。这一ASIC电路利用模糊处理特点,采用模糊化器复用的结构,在系统的实现规模不变的情况下大大提高了系统性能。同时由于采用并行流水线和控制FAT表等技术,可以获得了每6个时种至少8条模糊规则的处理速度.
其他文献
椭圆柱Bridgman炉生长Hg1—xCdxTe晶体时固/液界面形状的数值模拟
用三维数值模拟方法研究了椭圆柱Bridgman炉生长Hg1-xCdxTe晶体时固/液界面附近的温度分布、考察了安瓿位置,安瓿与炉膛直径对大小以及炉膛温度分布等对固/液界面的影响情况。
期刊
碲镉汞
红外探测器
数值模拟
Crystal growth
Semiconducting tellurium compounds
离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究
本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱,有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μm、1.570μm、1.598μm和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强.结合背散射谱,认为其有效的发光中心为处于Td对称中心的填隙铒Er3+离子.在Er与O、N、
期刊
光致发光
离子注入
硅
掺饵
Erbium
Ion implantation
Photoluminescence
模具的数字化设计与快速制造技术
研究了与CAD/CAE技术相结合的数字化设计方法,提出并实现了3种选择性激光烧结间接制造以及选择性激光熔化直接制造金属零件/模具的新工艺,形成了金属零件/模具低成本制造的成套技
期刊
数字化设计
模具设计
快速制造技术
CAD/CAE技术
选择性激光烧结
低成本制造
金属零件
设计方法
第二届现代切削(国际)研讨会在成都召开
日前,由成都工具研究所、国家精密工具工程技术研究中心、工具杂志社举办的“第二届现代切削与测量工程(国际)研讨会”在成都召开,与会的专家对如何振兴工具行业,提高我国机械加工
期刊
成都工具研究所
第二届
国际
切削
现代
工程技术研究中心
机床工具工业
自主创新能力
企业竞争力
测量工程
浅谈中学语文教学策略
走进中小学课堂便会发现,有的课教师的教学设计很多,也很新,但学生的学习方式并没有改变,仍然是在配合教师完成教学任务。教师是教育人培养人的职业,而很多教师却限制了学生
期刊
中学语文
教学策略
风冷热电空调器的研制
建立了风冷热电空调器数值模拟模型,对空调器进行了模拟计算,在对风冷热电空调器研制的基础上,进行了最佳隔热层厚度、不同结构形式、变工况、变风量和复现性实验,验证了仿真程序
期刊
热电制冷
空调器
风冷热电
数值模拟
thermoelectric refrigeration
airconditioner
simulation
experi
离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度
PtSi肖特基二极管的势垒高度制约PtSi红外探测器的截止波长和是子效率。在PtSi/Si界面注入In^+、B^+,采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应。用Ar气保护热处理消除注入损伤,附加掩膜层控制离子注入深度,成功
期刊
PTSI
肖特基二极管
势垒高度
离子注入
PtSi
Schottky diode
barrier height
ion injection doping me
某桥梁加固后检验
以某桥为例,介绍了桥梁加固后检验工作,包括载荷试验、结构应力分析验算及加固施工情况评估三方面内容,并得出了一些指导性结论及相应建议。
期刊
桥梁
载荷试验
应力
应变
挠度
bridge
loading experiment
stress
strain
deflection
采用CoSi2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的
期刊
CMOS/SOI
SALICIDE
辐照特性
集成电路
CMOS/SOI
SALICIDE
Radiation Characteristics
燃煤电厂节能减排评价模型与方法
我国以燃煤发电为主,导致电力行业成为能源消耗与环境污染大户,电力行业节能减排的开展势在必行。该文从输入、生产、输出各个环节选取指标选取燃煤电厂节能减排的评价指标,利用
期刊
燃煤电厂
节能减排
综合评价
投影寻踪
遗传算法
与本文相关的学术论文