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美国和意大利研究人员发表研究报告称，他们开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件，其体积很小，耗能也非常低，很可能有助于解决目前人工智能（AI）发展所遭遇的“内存瓶颈”问题。
在新研究中，研究團队使用了柱状反铁磁材料，这是以前科学家从未探索过的几何形状。研究表明，生长在重金属层上的、直径低至800纳米的反铁磁铂锰（PtMn）柱，通过极低电流后可以在不同的磁态之间可逆地转换。通过改变写入电流的振幅，即可实现多级存储特性。
研究人员指出，基于反铁磁铂锰柱制成的存储器件体积仅为现有的基于反铁磁材料存储设备的1/10，而更重要的是，新型器件的制造方法与现有的半导体制造规范兼容，这意味着存储设备制造商可以轻松采用新技术，而无需购买新设备。
研究人员指出，新型磁存储器件很小，耗能很低，有望使反铁磁存储器走向实际应用，并帮助解决AI的“内存瓶颈”问题。目前，他们正努力寻求进一步缩小设备尺寸，改善数据写入耗能的方法，以尽快将新技术投入实际应用。