【摘 要】
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基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电
【机 构】
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浙江师范大学工学院,东南大学毫米波国家重点实验室,德国莱布尼兹高性能创新微电子研究所,帕德博恩大学海恩茨-尼克斯多夫研究所
【基金项目】
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浙江省自然科学基金(LQ17F0400),东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)
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基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。
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