【摘 要】
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采用反应直流磁控溅射镀膜法，在氮气分压为0．9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜，并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明，当基底温度为100℃及
【机 构】
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南京邮电大学理学院,湖北民族学院理学院
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采用反应直流磁控溅射镀膜法，在氮气分压为0．9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜，并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明，当基底温度为100℃及以下时，薄膜以[111]方向择优生长为主；在150℃及200℃时，薄膜以[100]方向择优生长为主；250℃时开始出现Ccu的[111]方向生长，300℃时已完全不能形成Cu。N晶体，只有明显的Cu晶体。随基底温度的升高，薄膜的沉积速率在13-28nm／min呈U型变化，低温和高温时较高，150℃时最低；薄膜的电阻率显著降低；薄膜
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