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介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。
薄栅氮化工艺技术研究
【摘 要】
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介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。
【机 构】
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西安微电子研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2003年B12期
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