顶发射白光OLED器件制备及其色坐标漂移机制研究

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:snowliya
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采用了高反射率金属 Al 和电化学性能稳定的金属 Mo,在硅基底上制备了多层结构的 Al/Mo/MoO3阳极,并研究了不同 MoO3厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明:采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33,0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。
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