掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yk946524

【摘要】

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通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电学与光学性能.实验发现,薄

【作者】

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郭玉忠王剑华黄瑞安王贵青

【机构】

：

昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

Sb 掺杂 SNO2薄膜导电性测量透光度反射率电学性能二氧化锡半导体材料锑光学性能 Sb-doped SnO2 thin films cond

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通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电学与光学性能.实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达1020cm-3,电阻率～10-2Ω.cm,透光率高达90%,SnO2膜禁带宽度Eg≈3.7～3.80eV.

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