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利用磁控溅射法在硅（Si）衬底上沉积了Ta2O5薄膜，对薄膜进行了不同温度的退火处理，并利用X射线衍射仪对薄膜的微观结构进行了分析。然后在Si的背面和介电薄膜的上面沉积Pt电极，组成了金属－氧化物－半导体（MOS）电容器，对不同温度下退火得到的薄膜制备的MOS电容器的电学性能进行了研究。结果表明，薄膜在700 ℃开始结晶，且是四方结构的β-Ta2O5。700 ℃退火得到的薄膜制备的电容器电学性能最好：其相对介电常数最大，为34.9；漏电流密度最小，为1.87×10^–6 A/cm^2（所加电压为