【摘 要】
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2012年9月23 ～ 28日,IUMRS-ICEM2012大会“新型热电材料的前沿专题”成功举办,众多专家汇聚一堂,共议热电材料发展.rn美国California Institute of Technology的G Jeffrey SNY
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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2012年9月23 ～ 28日,IUMRS-ICEM2012大会“新型热电材料的前沿专题”成功举办,众多专家汇聚一堂,共议热电材料发展.rn美国California Institute of Technology的G Jeffrey SNYDER博士作了“Band Engineering for High Efficiency Thermoelectrics”的邀请报告.他认为复杂结构热电材料仍旧是未来提高热电优值的重要研究方向.半导体材料中,高的态密度有效质量会导致高的Seebeck系数,但是高的载流子有效质量会降低迁移率,从而降低热电优值.而只有高的谷缺陷会增加有效质量的态密度有效质量,利用高度二次缺陷目前已获得1.4的热电优值,即ZT=1.4.
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