一种适合制作CMOS的SiGe PMOSFET

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：y810417

【摘要】

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在通常适合于制作埋沟SiGe NMOSFET的Si/弛豫SiGe/应变Si/弛豫SiGe缓冲层/渐变Ge组分层的结构上,制作成功了SiGe PMOSFET.这种SiGe PMOSFET将更容易与SiGe NMOSFET集成,用于

【作者】

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黎晨朱培喻罗广礼陈培毅钱佩信

【机构】

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清华大学微电子学研究所,

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

SiGe PMOSFET SiGe CMOS

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在通常适合于制作埋沟SiGe NMOSFET的Si/弛豫SiGe/应变Si/弛豫SiGe缓冲层/渐变Ge组分层的结构上,制作成功了SiGe PMOSFET.这种SiGe PMOSFET将更容易与SiGe NMOSFET集成,用于实现SiGe CMOS.实验测得这种结构的SiGe PMOSFET在栅压为3.5V时最大饱和跨导比用作对照的Si PMOS提高约2倍,而与常规的应变SiGe沟道的器件相当.

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