【摘 要】
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目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode,LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随着LED外延和芯片技术的提升,LED的能效也得
【机 构】
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北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:11674016)
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目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode,LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随着LED外延和芯片技术的提升,LED的能效也得到了快速的提升。本文介绍了影响LED光源能效的因素;叙述了影响LED能效的内量子效率(internal quantum efficiency,IQE)和外量子效率(external quantum efficiency,EQE)的提升技术,阐述了GaN基LED能效的提升进程,最后对LED能效的未来发展进行了
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