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根据3ω方法测试原理,搭建了薄膜导热系数测试平台.在40～170 K温度范围内,测试等离子体增强化学气相淀积(PEcVD)方法制备的SiO2薄膜导热系数,同时测试了掺杂体态硅基底的导热系数.测试结果表明:在这个温度范围内,SiO2薄膜的导热系数随着温度升高而增大;杂质对体态硅的导热系数存在很大的影响.基于Callaway模型对体态硅导热系数测试结果进行拟合得到的掺杂浓度与实际值吻合较好,表明3ω方法测试原理不仅可以用来测试纳米薄膜的热传导系数,还可用来测定体态硅基底的掺杂浓度.