【摘 要】
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WFD0 0 1 2 2～ 6GHz power monolithic amplifier has been developed in Nanjing Electronic DevicesInstitute in 2 0 0 1 .The 76mm 0 .5μm HFET standard technology a
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WFD0 0 1 2 2～ 6GHz power monolithic amplifier has been developed in Nanjing Electronic DevicesInstitute in 2 0 0 1 .The 76mm 0 .5μm HFET standard technology and Ta N resistor,Ta2 O5capacitor,Si N capacitor have been used to fabricate the wideband MMIC
WFD0 0 1 2 2 ~ 6GHz power monolithic amplifier has been developed in Nanjing Electronic Devices Institute in 2001. The 76mm 0 .5μm HFET standard technology and Ta N resistor, Ta2 O5capacitor, Si N capacitor have been used to fabricate the wideband MMIC
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