【摘 要】
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本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外
【机 构】
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中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学实验室 北京 100083
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本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外延层的成核行为和生长行为有一定影响,和Si[001]晶面相比,Si[113]可能是一个有利于半导体异质结生长的晶面。
In this paper, the heterogeneous coplanar technology for growing GaAs by molecular beam epitaxy on a patterned Si substrate is introduced. The growth behavior and microstructure of non-planar heterojunction in groove wall were studied by cross-sectional transmission electron microscopy. The results show that the geometric factors of groove wall have certain influence on the nucleation and growth behavior of the epitaxial layer, and Si [001 ] Crystal plane, Si [113] may be a crystal plane conducive to the growth of semiconductor heterojunction.
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