【摘 要】
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随着电子设备的小型化,现代高频电子技术需要使用高直流叠加和低功耗的MnZn软磁铁氧体材料。在DMR50材料的基础上,用传统的陶瓷法制备了可使用至3MHz、具有更低功耗、极优直
【机 构】
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中国计量学院材料科学与工程学院,横店集团东磁有限公司博士后科研工作站
【基金项目】
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浙江省151人才项目;浙江省分析测试基金资助项目(A04089);浙江省重大科技攻关资助项目(2005C11042)
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随着电子设备的小型化,现代高频电子技术需要使用高直流叠加和低功耗的MnZn软磁铁氧体材料。在DMR50材料的基础上,用传统的陶瓷法制备了可使用至3MHz、具有更低功耗、极优直流叠加特性的DMR50B铁氧体材料。通过对成份、掺杂、制备工艺及微结构的优化,其磁性能也得到了进一步提升。在3MHz,10mT和100℃时材料的功耗在200kW/m^3左右,在700kHz,30mT和100℃时只有20kW/m^3左右。其截止频率fr在4MHz左右,并且在HDC=100A/m时其增量磁导率μΔ仍保持不变。另外,也研究了
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