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针对热处理对a-Si C：H薄膜的氢扩散和热稳定性的影响,利用二次离子质谱（SIMS）和傅立叶红外谱（FTIR）来分析氢的深度分布和薄膜中Si Hn和CHn的变化。结果表明,在473 K到773 K范围内,经过热处理的a-Si C：H薄膜能够有效地延缓氢扩散,从而提高阻氢性能,但是在热稳定方面有所退化。