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以PEN柔性薄膜作为衬底，采用直流对靶磁控溅射的方法，在室温下制备ZnO：Ga薄膜。研究了不同溅射功率和不同溅射压强下制备出的薄膜表现出不同的光学和电学特性。经过溅射压强和溅射功率的优化，获得薄膜厚约900nm、电阻率为7．72×10^-4Ω·cm和可见光平均透过率超过75％的PEN衬底ZnO：Ga薄膜。将其应用于PEN透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中，得到了转换效率为6．4％的太阳电池。