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采用一甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、一苯基三乙氧基硅烷未完全水解制备了含乙氧基的有机硅低聚体。通过正交实验分析确定最佳工艺条件为，原料配比R／si=1．4，ph/R=0．2，反应时间为2．5h，反应温度为80℃。对最佳工艺条件下的有机硅低聚体进行红外光谱表征，低聚体剪切强度可达2．92MPa。