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本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期稳定性。
Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响
【摘 要】
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本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期
【机 构】
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山东大学化学学院
【出 处】
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化学传感器
【发表日期】
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1996年4期
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