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目前，普遍采用化学机械抛光（Chemical—mechanical polishing，CMP）技术对计算机硬盘基片（盘片）表面进行原子级平整。CMP加工中。盘片表面膜及其特性对CMP过程及CMP性能具有关键作用。本文分别采用俄歇能谱（AES）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电镜（SEM）、纳米硬度计、电化学极化法等分析手段对盘片表面物理、化学及机械特性进行了研究，发现盘片CMP后表面发生了氧化，氧化膜在盘片的表层，厚度在纳米量级，氧化产物为Ni（OH）2；氧化膜为较软的、疏松的、粗糙的多孔结构；氧化膜