【摘 要】
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探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石（opal）结构光子晶体直角半波导的工艺条件，研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对
【机 构】
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国防科学技术大学材料工程与应用化学系
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探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石（opal）结构光子晶体直角半波导的工艺条件，研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响。结果表明，降低沉积速率有利于在蛋白石结构内外均匀填充，同时在自由基扩散通道不被堵塞的前提下，增加沉积时间及蛋白石结构的规整程度，有助于反opal结构的形成。
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