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以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA—BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明：工业标准模型BSIM4在电荷、电流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷，而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型ULTRA—BULK却表现出必需的连续性和对称性。既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的，那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展。