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<正> 一、引言在生长单晶硅的工艺过程中,碳以取代杂质的形式进入晶格,其浓度取决于工艺,其行为严重地影响器件性能。在大规模集成电路的性能分析中也发现由于碳的存在会引起严重的漏电流。碳在硅中的危害性现已引起了普遍重视,因此测量杂质碳的含量对改进工艺,提高单晶硅的质量是不可缺少的。
红外吸收法测定硅中碳含量
【摘 要】
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<正> 一、引言在生长单晶硅的工艺过程中,碳以取代杂质的形式进入晶格,其浓度取决于工艺,其行为严重地影响器件性能。在大规模集成电路的性能分析中也发现由于碳的存在会引起
【机 构】
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冶金工业部有色金属研究总院,
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1980年04期
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